Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM120A20DG

APTM120A20DG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 50A 7-Pin Case SP-6 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM120A20DG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw, On-state resistance: 0.24Ω, Drain current: 37A, Drain-source voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Power dissipation: 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Case: SP6C, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes, Pulsed drain current: 200A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM120A20DG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM120A20DG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw On-state resistance: 0.24Ω Drain current: 37A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP6C Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes Pulsed drain current: 200A Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120A20DG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120A20DG	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP6C	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120A20DG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw On-state resistance: 0.24Ω Drain current: 37A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP6C Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes Pulsed drain current: 200A Type of semiconductor module: MOSFET transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.