Технічний опис APTM120A20DG Microchip Technology
Category: Transistor modules, Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Pulsed drain current: 200A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Power dissipation: 1.25kW, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 37A, Drain-source voltage: 1.2kV, Gate-source voltage: ±30V, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 0.24Ω, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes.
Інші пропозиції APTM120A20DG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM120A20DG | Microchip Technology |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP6C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |
| APTM120A20DG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 200A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Power dissipation: 1.25kW Technology: POWER MOS 7® Drain current: 37A Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 0.24Ω Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTM120A20DG |
|
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP6C
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP6C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTM120A20DG |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP6C
On-state resistance: 0.24Ω
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP6C
On-state resistance: 0.24Ω
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.