Технічний опис APTM120DA30CT1G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W, On-state resistance: 0.36Ω, Drain current: 23A, Drain-source voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 657W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Case: SP1, Technology: POWER MOS 8®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 195A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM120DA30CT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM120DA30CT1G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W On-state resistance: 0.36Ω Drain current: 23A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 657W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: SP1 Technology: POWER MOS 8®; SiC Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 195A Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APTM120DA30CT1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
товару немає в наявності |
|
| APTM120DA30CT1G | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-8-SBD-SP1 |
товару немає в наявності |
||
| APTM120DA30CT1G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W On-state resistance: 0.36Ω Drain current: 23A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 657W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: SP1 Technology: POWER MOS 8®; SiC Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 195A Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |