Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM120UM70DAG

APTM120UM70DAG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 171A 5-Pin Case SP-6 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM120UM70DAG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 126A; SP6C; Idm: 684A; 5kW; screw, On-state resistance: 80mΩ, Drain current: 126A, Drain-source voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Power dissipation: 5kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Case: SP6C, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: single transistor + series diode, Pulsed drain current: 684A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM120UM70DAG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM120UM70DAG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 126A; SP6C; Idm: 684A; 5kW; screw On-state resistance: 80mΩ Drain current: 126A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Power dissipation: 5kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP6C Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: single transistor + series diode Pulsed drain current: 684A Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120UM70DAG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120UM70DAG	Виробник : Microchip Technology	MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM120UM70DAG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 126A; SP6C; Idm: 684A; 5kW; screw On-state resistance: 80mΩ Drain current: 126A Drain-source voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Power dissipation: 5kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP6C Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: single transistor + series diode Pulsed drain current: 684A Type of semiconductor module: MOSFET transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.