Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM20AM04FG

APTM20AM04FG Microchip Technology

Name: APTM20AM04FG
Brand: Microchip Technology
SKU: 5010120-4
Price: 20034.31 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 372A 7-Pin Case SP-6 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM20AM04FG Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1250W, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA, Supplier Device Package: SP6, Part Status: Active.

Інші пропозиції APTM20AM04FG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM20AM04FG	Виробник : MICROSEMI	SP6/372 A, 200 V, 0.005 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTM20AM04 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM20AM04FG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1250W Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Supplier Device Package: SP6 Part Status: Active	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM20AM04FG	Виробник : Microchip Technology	MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM20AM04FG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW On-state resistance: 5mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 278A Power dissipation: 1.25kW Pulsed drain current: 1488A Topology: MOSFET half-bridge Electrical mounting: FASTON connectors; screw Case: SP6C Semiconductor structure: transistor/transistor Mechanical mounting: screw Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Type of semiconductor module: MOSFET transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.