APTM20AM04FG Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA
Supplier Device Package: SP6
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18313.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM20AM04FG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge, Pulsed drain current: 1488A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Case: SP6C, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 278A, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 1.25kW, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM20AM04FG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APTM20AM04FG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APTM20AM04FG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1488A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SP6C Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 278A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 1.25kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APTM20AM04FG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APTM20AM04FG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APTM20AM04FG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1488A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SP6C Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 278A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 1.25kW |
товару немає в наявності |