APTM20AM08FTG

APTM20AM08FTG Microchip Technology


11518112-aptm20am08ftg-rev2-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 208A 20-Pin Case SP-4 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM20AM08FTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V, Drain current: 155A, On-state resistance: 10mΩ, Power dissipation: 781W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 832A, Case: SP4, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 200V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM20AM08FTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM20AM08FTG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V
Drain current: 155A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 781W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 832A
Case: SP4
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20AM08FTG Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 781W
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 208A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20AM08FTG Виробник : Microchip Technology APTM20AM08FTG_Rev3-3445272.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20AM08FTG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V
Drain current: 155A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 781W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 832A
Case: SP4
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.