APTM20DAM08TG

APTM20DAM08TG Microchip Technology


11568117-aptm20dam08tg-rev4-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 208A 20-Pin Case SP-4 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM20DAM08TG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 155A, Case: SP4, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 10mΩ, Pulsed drain current: 832A, Power dissipation: 781W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM20DAM08TG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTM20DAM08TG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8117 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 155A
Case: SP4
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 832A
Power dissipation: 781W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTM20DAM08TG Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8117 Description: MOSFET N-CH 200V 208A SP4
товар відсутній
APTM20DAM08TG Виробник : Microsemi 8117-aptm20dam08tg-rev4-pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
товар відсутній
APTM20DAM08TG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8117 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 155A
Case: SP4
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 832A
Power dissipation: 781W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній