Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM20DAM08TG

APTM20DAM08TG Microchip Technology

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: SP4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM20DAM08TG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 200V 208A SP4, Packaging: Bulk, Package / Case: SP4, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 208A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V, Power Dissipation (Max): 781W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: SP4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APTM20DAM08TG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APTM20DAM08TG Microchip Technology APTM20DAM08TG-Rev5.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20DAM08TG MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 155A
Case: SP4
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 832A
Power dissipation: 781W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20DAM08TG APTM20DAM08TG-Rev5.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20DAM08TG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 155A
Case: SP4
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 832A
Power dissipation: 781W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.