APTM20TAM16FPG

APTM20TAM16FPG Microchip Technology


2198141-aptm20tam16fpg-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 104A 21-Pin Case SP-6P Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM20TAM16FPG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 200V; 77A; SP6P; Press-in PCB; 390W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 77A, Case: SP6P, Topology: MOSFET x3 half-bridge, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 19mΩ, Pulsed drain current: 416A, Power dissipation: 390W, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM20TAM16FPG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTM20TAM16FPG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8141 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 200V; 77A; SP6P; Press-in PCB; 390W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 77A
Case: SP6P
Topology: MOSFET x3 half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 416A
Power dissipation: 390W
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTM20TAM16FPG APTM20TAM16FPG Виробник : Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8141 Description: MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
товар відсутній
APTM20TAM16FPG Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8141 Discrete Semiconductor Modules DOR CC6513
товар відсутній
APTM20TAM16FPG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8141 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 200V; 77A; SP6P; Press-in PCB; 390W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 77A
Case: SP6P
Topology: MOSFET x3 half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 416A
Power dissipation: 390W
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній