Продукція > MICROSEMI > APTM20UM03FAG

APTM20UM03FAG MICROSEMI

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Виробник: MICROSEMI
SP6/580 A, 200 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM20
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM20UM03FAG MICROSEMI

Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V, Power Dissipation (Max): 2270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA, Supplier Device Package: SP6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APTM20UM03FAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM20UM03FAG APTM20UM03FAG Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
Power Dissipation (Max): 2270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA
Supplier Device Package: SP6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20UM03FAG Виробник : Microchip Technology APTM20UM03FAG_Rev2-3445445.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.