Продукція > MICROSEMI > APTM20UM03FAG

APTM20UM03FAG MICROSEMI

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: MICROSEMI
SP6/580 A, 200 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM20
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM20UM03FAG MICROSEMI

Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: SP6, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA, Power Dissipation (Max): 2270W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP6, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції APTM20UM03FAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APTM20UM03FAG APTM20UM03FAG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SP6
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 2270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20UM03FAG Microchip Technology APTM20UM03FAG-Rev2.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20UM03FAG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APTM20UM03FAG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SP6
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 2270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APTM20UM03FAG APTM20UM03FAG-Rev2.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.