Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM50AM24SCG

APTM50AM24SCG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 150A 7-Pin Case SP-6 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM50AM24SCG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1.25kW, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 110A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 28mΩ, Pulsed drain current: 600A, Power dissipation: 1.25kW, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM50AM24SCG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM50AM24SCG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 110A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 28mΩ Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.25kW Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM50AM24SCG	Виробник : Microsemi Power Products Group	Description: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM50AM24SCG	Виробник : Microsemi	Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM50AM24SCG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 110A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 28mΩ Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 1.25kW Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.