APTM50AM35FTG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
Supplier Device Package: SP4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 781W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM50AM35FTG Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4, Supplier Device Package: SP4, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Power - Max: 781W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP4, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTM50AM35FTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM50AM35FTG | Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTM50AM35FTG |
![]() |
Виробник: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


