APTM50DDA10T3G

APTM50DDA10T3G Microchip Technology


6908169-aptm50dda10t3g-rev4-datasheet.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 37A 32-Pin Case SP-3 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM50DDA10T3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; Idm: 140A, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP3, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: POWER MOS 7®, On-state resistance: 0.12Ω, Drain current: 28A, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 312W, Drain-source voltage: 500V, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції APTM50DDA10T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM50DDA10T3G Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8169 Description: MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM50DDA10T3G Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8169 Discrete Semiconductor Modules DOR CC3039
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM50DDA10T3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8169 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; Idm: 140A
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP3
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: POWER MOS 7®
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 312W
Drain-source voltage: 500V
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.