APTM50H10FT3G Microsemi Power Products Group
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM50H10FT3G Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; 312W, On-state resistance: 0.12Ω, Drain current: 28A, Power dissipation: 312W, Drain-source voltage: 500V, Pulsed drain current: 140A, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Case: SP3, Semiconductor structure: transistor/transistor, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V.
Інші пропозиції APTM50H10FT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM50H10FT3G | Виробник : Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
товару немає в наявності |
||
| APTM50H10FT3G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; 312W On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 28A Power dissipation: 312W Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 140A Topology: H-bridge; NTC thermistor Case: SP3 Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |