Продукція > MICROSEMI > APTM50HM65FT3G

APTM50HM65FT3G Microsemi

Виробник: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM50HM65FT3G Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 500V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 390W, Case: SP3F, Semiconductor structure: transistor/transistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 78mΩ, Power dissipation: 390W, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 38A, Pulsed drain current: 204A, Drain-source voltage: 500V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Electrical mounting: Press-in PCB.

Інші пропозиції APTM50HM65FT3G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM50HM65FT3G	Виробник : MICROSEMI	SP3/51 A, 500 V, 0.078 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTM50HM65 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM50HM65FT3G	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM50HM65FT3G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 500V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 390W Case: SP3F Semiconductor structure: transistor/transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 78mΩ Power dissipation: 390W Gate-source voltage: ±30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 204A Drain-source voltage: 500V Topology: H-bridge; NTC thermistor Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Electrical mounting: Press-in PCB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.