APTM50HM75SCTG

APTM50HM75SCTG Microchip Technology


10298194-aptm50hm75sctg-rev2-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 46A 20-Pin Case SP-4 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM50HM75SCTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 357W, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Drain current: 34A, Drain-source voltage: 500V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: SP4, On-state resistance: 90mΩ, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM50HM75SCTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTM50HM75SCTG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 357W
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-source voltage: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
On-state resistance: 90mΩ
Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTM50HM75SCTG Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Description: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
товар відсутній
APTM50HM75SCTG Виробник : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Discrete Semiconductor Modules CC4034
товар відсутній
APTM50HM75SCTG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 357W
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-source voltage: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
On-state resistance: 90mΩ
Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor
товар відсутній