APTM50HM75STG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11598.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM50HM75STG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 500V; 34A; SP4; FASTON connectors,screw, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 357W, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 34A, Drain-source voltage: 500V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, On-state resistance: 90mΩ, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM50HM75STG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM50HM75STG | Виробник : Microchip / Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules CC4033 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| APTM50HM75STG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 500V; 34A; SP4; FASTON connectors,screw Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7® Drain current: 34A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 90mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTM50HM75STG | Виробник : MICROSEMI |
SP4/POWER MODULE - MOSFET APTM50HM75 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTM50HM75STG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 500V; 34A; SP4; FASTON connectors,screw Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7® Drain current: 34A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 90mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor |
товар відсутній |