APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: D3, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 10mΩ, Drain current: 190A, Pulsed drain current: 550A, Power dissipation: 1.1kW, Drain-source voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge.
Інші пропозиції APTMC120AM08CD3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120AM08CD3AG | Виробник : Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120AM08CD3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: D3 Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 10mΩ Drain current: 190A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 1.1kW Drain-source voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge |
товару немає в наявності |