APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC, Power dissipation: 1.1kW, Case: D3, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 190A, On-state resistance: 10mΩ, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge, Pulsed drain current: 550A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTMC120AM08CD3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120AM08CD3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC Power dissipation: 1.1kW Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 190A On-state resistance: 10mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 550A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120AM08CD3AG | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120AM08CD3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC Power dissipation: 1.1kW Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 190A On-state resistance: 10mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 550A |
товару немає в наявності |