APTMC120AM09CT3AG Microsemi Power Products Group
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTMC120AM09CT3AG Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 220A; SP3F; Press-in PCB, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: SP3F, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 9mΩ, Drain current: 220A, Pulsed drain current: 590A, Power dissipation: 1.25kW, Drain-source voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor.
Інші пропозиції APTMC120AM09CT3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120AM09CT3AG | Виробник : Microchip / Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules DOR CC3179 |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120AM09CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 220A; SP3F; Press-in PCB Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP3F Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 9mΩ Drain current: 220A Pulsed drain current: 590A Power dissipation: 1.25kW Drain-source voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor |
товару немає в наявності |