Технічний опис APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: D3, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 20mΩ, Drain current: 98A, Pulsed drain current: 262A, Power dissipation: 625W, Drain-source voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge.
Інші пропозиції APTMC120AM16CD3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTMC120AM16CD3AG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
товару немає в наявності |
|
| APTMC120AM16CD3AG | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120AM16CD3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: D3 Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 20mΩ Drain current: 98A Pulsed drain current: 262A Power dissipation: 625W Drain-source voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge |
товару немає в наявності |