Технічний опис APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC, Power dissipation: 625W, Case: D3, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 98A, On-state resistance: 20mΩ, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge, Pulsed drain current: 262A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTMC120AM16CD3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120AM16CD3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC Power dissipation: 625W Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 98A On-state resistance: 20mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 262A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APTMC120AM16CD3AG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
товару немає в наявності |
|
| APTMC120AM16CD3AG | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120AM16CD3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC Power dissipation: 625W Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 98A On-state resistance: 20mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 262A |
товару немає в наявності |