APTMC120AM20CT1AG Microchip Technology


908125293-aptmc120am20ct1ag-0-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 143A 12-Pin Case SP-1 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTMC120AM20CT1AG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W, Power dissipation: 600W, Case: SP1, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 280A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 108A, On-state resistance: 17mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTMC120AM20CT1AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTMC120AM20CT1AG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125293 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W
Power dissipation: 600W
Case: SP1
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 280A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 17mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTMC120AM20CT1AG Виробник : MICROSEMI index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125293 APTMC120AM20CT1AG
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTMC120AM20CT1AG Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125293 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
товар відсутній
APTMC120AM20CT1AG Виробник : Microchip / Microsemi mppgs02277_1-2275097.pdf Discrete Semiconductor Modules CC8104
товар відсутній
APTMC120AM20CT1AG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125293 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W
Power dissipation: 600W
Case: SP1
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 280A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 17mΩ
товар відсутній