Технічний опис APTMC120AM20CT1AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W, Power dissipation: 600W, Case: SP1, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 280A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 108A, On-state resistance: 17mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTMC120AM20CT1AG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTMC120AM20CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W Power dissipation: 600W Case: SP1 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 280A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 108A On-state resistance: 17mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTMC120AM20CT1AG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTMC120AM20CT1AG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товар відсутній |
||
APTMC120AM20CT1AG | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товар відсутній |
||
APTMC120AM20CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W Power dissipation: 600W Case: SP1 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 280A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 108A On-state resistance: 17mΩ |
товар відсутній |