Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції APTMC120AM55CT1AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120AM55CT1AG | MICROSEMI |
 APTMC120AM55CT1AGкількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| APTMC120AM55CT1AG | Microsemi |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Силові MOSFET-модулі |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
APTMC120AM55CT1AG | Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ) Supplier Device Package: SP1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTMC120AM55CT1AG | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC9701 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTMC120AM55CT1AG |
|
Виробник: Microsemi
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Силові MOSFET-модулі
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Силові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APTMC120AM55CT1AG |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: SP1
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: SP1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APTMC120AM55CT1AG |
|
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules CC9701
Discrete Semiconductor Modules CC9701
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.