Продукція > Транзистори > IGBT > APTMC120AM55CT1AG

APTMC120AM55CT1AG

125294-aptmc120am55ct1ag-rev1-datasheet

Код товару: 191183

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції APTMC120AM55CT1AG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	APTMC120AM55CT1AG	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	APTMC120AM55CT1AG	Виробник : MICROSEMI	APTMC120AM55CT1AG кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	APTMC120AM55CT1AG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 250W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ) Supplier Device Package: SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	APTMC120AM55CT1AG	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules CC9701	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.