Технічний опис APTMC120TAM17CTPAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 110A; SP6P; Press-in PCB, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: SP6P, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 17mΩ, Drain current: 110A, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 625W, Drain-source voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: SiC, Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor.
Інші пропозиції APTMC120TAM17CTPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
 Description: MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6542 |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6542 |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 110A; SP6P; Press-in PCB Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP6P Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 17mΩ Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 625W Drain-source voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor |
товару немає в наявності |