Технічний опис APTMC120TAM17CTPAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 110A; SP6P; Press-in PCB, Power dissipation: 625W, Case: SP6P, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 110A, On-state resistance: 17mΩ, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 300A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTMC120TAM17CTPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 110A; SP6P; Press-in PCB Power dissipation: 625W Case: SP6P Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 110A On-state resistance: 17mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6542 |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC6542 |
товару немає в наявності |
||
| APTMC120TAM17CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 110A; SP6P; Press-in PCB Power dissipation: 625W Case: SP6P Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 110A On-state resistance: 17mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 300A |
товару немає в наявності |