APTMC120TAM33CTPAG

APTMC120TAM33CTPAG Microsemi Power Products Group


134006-aptmc120tam33ctpag-rev0-pdf Виробник: Microsemi Power Products Group
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTMC120TAM33CTPAG Microsemi Power Products Group

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 58A; SP6P; Press-in PCB; 370W, Power dissipation: 370W, Case: SP6P, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 155A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 58A, On-state resistance: 33mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTMC120TAM33CTPAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTMC120TAM33CTPAG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 134006-aptmc120tam33ctpag-rev0-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 58A; SP6P; Press-in PCB; 370W
Power dissipation: 370W
Case: SP6P
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 155A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 58A
On-state resistance: 33mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTMC120TAM33CTPAG Виробник : Microsemi APTMC120TAM33CTPAG-Rev0-597464.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товар відсутній
APTMC120TAM33CTPAG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 134006-aptmc120tam33ctpag-rev0-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 58A; SP6P; Press-in PCB; 370W
Power dissipation: 370W
Case: SP6P
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 155A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 58A
On-state resistance: 33mΩ
товар відсутній