APTMC120TAM33CTPAG Microsemi Power Products Group
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTMC120TAM33CTPAG Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 58A; SP6P; Press-in PCB; 370W, Power dissipation: 370W, Case: SP6P, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 58A, On-state resistance: 33mΩ, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 155A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTMC120TAM33CTPAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTMC120TAM33CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 58A; SP6P; Press-in PCB; 370W Power dissipation: 370W Case: SP6P Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 58A On-state resistance: 33mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 155A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APTMC120TAM33CTPAG | Виробник : Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTMC120TAM33CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 58A; SP6P; Press-in PCB; 370W Power dissipation: 370W Case: SP6P Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 58A On-state resistance: 33mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 155A |
товару немає в наявності |