Технічний опис APTMC170AM30CT1AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.7kV; 74A; SP1; Press-in PCB; 700W, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Case: SP1, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Pulsed drain current: 200A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 74A, On-state resistance: 35mΩ, Power dissipation: 700W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTMC170AM30CT1AG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTMC170AM30CT1AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.7kV; 74A; SP1; Press-in PCB; 700W Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Case: SP1 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Pulsed drain current: 200A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 74A On-state resistance: 35mΩ Power dissipation: 700W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APTMC170AM30CT1AG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTMC170AM30CT1AG | Виробник : Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTMC170AM30CT1AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.7kV; 74A; SP1; Press-in PCB; 700W Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Case: SP1 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Pulsed drain current: 200A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 74A On-state resistance: 35mΩ Power dissipation: 700W |
товару немає в наявності |