APTMC60TLM14CAG MICROCHIP TECHNOLOGY


125303-aptmc60tlm14cag-rev3-datasheet Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APTMC60TLM14CAG Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTMC60TLM14CAG MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: SIC 4N-CH 1200V 219A SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 925W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 219A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ), Supplier Device Package: SP6.

Інші пропозиції APTMC60TLM14CAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTMC60TLM14CAG Виробник : Microchip Technology 125303-aptmc60tlm14cag-rev3-datasheet Description: SIC 4N-CH 1200V 219A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 925W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 219A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ)
Supplier Device Package: SP6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTMC60TLM14CAG Виробник : Microsemi APTMC60TLM14CAG-Rev3-602859.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.