AR1FJ-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 12.6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.98 грн |
| 6000+ | 6.35 грн |
| 15000+ | 5.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AR1FJ-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - AR1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 140 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 140ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції AR1FJ-M3/H за ціною від 4.39 грн до 30.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AR1FJ-M3/H | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - AR1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 140 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 140ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AR1FJ-M3/H | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - AR1FJ-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 140 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 140ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AR1FJ-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 12.6pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AR1FJ-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1A 600V AVALANCHE RECOVERY |
на замовлення 19822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|