
AR1FM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.69 грн |
6000+ | 5.01 грн |
9000+ | 4.77 грн |
15000+ | 4.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AR1FM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AR1FM-M3/H за ціною від 4.03 грн до 22.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AR1FM-M3/H | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 17520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AR1FM-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AR1FM-M3/H | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 17520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AR1FM-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AR1FM-M3/H | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |