AR1FM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AR1FM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AR1FM-M3/H за ціною від 3.67 грн до 21.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AR1FM-M3/H | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - AR1FM-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 17350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AR1FM-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 9.3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AR1FM-M3/H | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - AR1FM-M3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 17350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AR1FM-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1A 1000V AVALANCHE RECOVERY |
на замовлення 18410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|