ARF475FL Microchip Technology

Description: RF MOSFET 150V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 10A
Frequency: 128MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Power - Output: 900W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET
Part Status: Active
Voltage - Rated: 500 V
Voltage - Test: 150 V
Current - Test: 15 mA
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11011.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ARF475FL Microchip Technology
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8; 16dB, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, Power dissipation: 910W, Case: T3A-8, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Frequency: 128MHz, Kind of channel: depletion, Semiconductor structure: common source, Features of semiconductor devices: dual gate, Output power: 900W, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT, Open-loop gain: 16dB, Efficiency: 55%, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ARF475FL за ціною від 12375.26 грн до 12375.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ARF475FL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
ARF475FL Код товару: 196285
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
![]() |
ARF475FL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
ARF475FL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
ARF475FL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8; 16dB Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 910W Case: T3A-8 Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Frequency: 128MHz Kind of channel: depletion Semiconductor structure: common source Features of semiconductor devices: dual gate Output power: 900W Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Open-loop gain: 16dB Efficiency: 55% Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
ARF475FL | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
ARF475FL | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8; 16dB Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 910W Case: T3A-8 Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Frequency: 128MHz Kind of channel: depletion Semiconductor structure: common source Features of semiconductor devices: dual gate Output power: 900W Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Open-loop gain: 16dB Efficiency: 55% Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |