
AS1FM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.78 грн |
6000+ | 5.98 грн |
9000+ | 5.70 грн |
15000+ | 5.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS1FM-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AS1FM-M3/H за ціною від 5.00 грн до 27.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AS1FM-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AS1FM-M3/H | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 1.3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AS1FM-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AS1FM-M3/H | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 1.3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |