AS1FMHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1000V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.14 грн |
| 6000+ | 5.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS1FMHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - AS1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 1.3 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 1.3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AS1FMHM3/H за ціною від 7.85 грн до 33.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AS1FMHM3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 1000V 1.5A DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AS1FMHM3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5A 1000V AVALANCHE RECOVERY |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AS1FMHM3/H | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - AS1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 1.3 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 1.3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
AS1FMHM3/H | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - AS1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 1.3 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 1.3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |