AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.48 грн |
| 6000+ | 2.13 грн |
| 9000+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V.
Інші пропозиції AS2302 за ціною від 1.39 грн до 12.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AS2302 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V |
на замовлення 4074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AS2302 | Виробник : AnBon |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; AS2302 TSI2302 ANB кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|