AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.21 грн |
| 6000+ | 1.89 грн |
| 9000+ | 1.77 грн |
| 15000+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції AS2302 за ціною від 1.44 грн до 11.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AS2302 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AS2302 | Виробник : AnBon |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; AS2302 TSI2302 ANB кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|