AS3401

AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED


AS3401.pdf Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.48 грн
6000+3.01 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AS3401 за ціною від 3.80 грн до 16.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AS3401 AS3401 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
31+10.12 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.