AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED


AS3401.pdf
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.48 грн
6000+3.00 грн
9000+2.82 грн
15000+2.46 грн
21000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AS3401 за ціною від 3.80 грн до 17.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.21 грн
30+10.09 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.21 грн
30+10.09 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.