
AS3BJ-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
750+ | 13.48 грн |
1500+ | 10.55 грн |
2250+ | 9.43 грн |
5250+ | 8.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS3BJ-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V.
Інші пропозиції AS3BJ-M3/52T за ціною від 8.59 грн до 38.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AS3BJ-M3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.95V; 750pcs. Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: DO214AA; SMB Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 750pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.95V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 0.15mA |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AS3BJ-M3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V |
на замовлення 7102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AS3BJ-M3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.95V; 750pcs. Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: DO214AA; SMB Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 750pcs. Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 0.95V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 0.15mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AS3BJ-M3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AS3BJ-M3/52T | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 7319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
AS3BJ-M3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |