Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS4C16M16D1-5BCN
AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN Alliance Memory


256M-AS4C16M16D1-1288366.pdf Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 456 шт:

термін постачання 68-77 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.53 грн
10+ 291.78 грн
100+ 221.09 грн
240+ 220.42 грн
480+ 212.43 грн
1200+ 201.78 грн
2640+ 191.79 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS4C16M16D1-5BCN Alliance Memory

Description: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V, Technology: SDRAM - DDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 700 ps, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції AS4C16M16D1-5BCN

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AS4C16M16D1-5BCN Виробник : ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 2.5V
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AS4C16M16D1-5BCN AS4C16M16D1-5BCN Виробник : Alliance Memory, Inc. 256M-AS4C16M16D1.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
AS4C16M16D1-5BCN Виробник : ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 2.5V
товар відсутній