AS4C16M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc.
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 953.10 грн |
| 10+ | 852.21 грн |
| 25+ | 825.81 грн |
| 50+ | 756.34 грн |
| 108+ | 735.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4C16M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc.
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR1, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 256Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 2.5V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 66Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit.
Інші пропозиції AS4C16M16D1A-5TCN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
AS4C16M16D1A-5TCN | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A) |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
AS4C16M16D1A-5TCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit Versorgungsspannung, nom.: 2.5V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 66Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AS4C16M16D1A-5TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D1A-5TCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




