Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS4C16M16SB-6TINTR

AS4C16M16SB-6TINTR ALLIANCE MEMORY


AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TIN(TCN)_25June2021_Rev2.0.pdf Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS4C16M16SB-6TINTR DRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS4C16M16SB-6TINTR ALLIANCE MEMORY

Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: LVTTL, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції AS4C16M16SB-6TINTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AS4C16M16SB-6TINTR AS4C16M16SB-6TINTR Виробник : Alliance Memory, Inc. AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TIN(TCN)_25June2021_Rev2.0.pdf Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TINTR AS4C16M16SB-6TINTR Виробник : Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.