Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS4C16M32MD1-5BCN
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN ALLIANCE MEMORY


3999967.pdf Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1-5BCN - DRAM, LPDDR1, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR1
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+347.62 грн
10+324.45 грн
25+309.00 грн
50+280.55 грн
100+252.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS4C16M32MD1-5BCN ALLIANCE MEMORY

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1-5BCN - DRAM, LPDDR1, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: LPDDR1, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 90Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції AS4C16M32MD1-5BCN за ціною від 289.22 грн до 479.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AS4C16M32MD1-5BCN AS4C16M32MD1-5BCN Виробник : Alliance Memory, Inc. 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.57 грн
10+399.23 грн
25+391.59 грн
40+364.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN AS4C16M32MD1-5BCN Виробник : Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.36 грн
10+419.72 грн
100+328.25 грн
250+314.47 грн
480+292.28 грн
1120+291.52 грн
2560+289.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN Виробник : ALLIANCE MEMORY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDCCC5D16F3040C4&compId=AS4C16M32MD1-5BCN.pdf?ci_sign=ef0afd9fb2e42fd5d00a58bdaf8bd50c0a9abdb2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBCD3BDE311A0E0DC&compId=Alliance_Selection_Guide%20_Print2025.pdf?ci_sign=34f5d2d34cac1150f1f21237b486cf42d4e4f4fb Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Operating temperature: -25...85°C
Access time: 6.5ns
Memory organisation: 16Mx32bit
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating voltage: 1.7...1.95V
Mounting: SMD
Case: FBGA90
кількість в упаковці: 160 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN Виробник : ALLIANCE MEMORY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDCCC5D16F3040C4&compId=AS4C16M32MD1-5BCN.pdf?ci_sign=ef0afd9fb2e42fd5d00a58bdaf8bd50c0a9abdb2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBCD3BDE311A0E0DC&compId=Alliance_Selection_Guide%20_Print2025.pdf?ci_sign=34f5d2d34cac1150f1f21237b486cf42d4e4f4fb Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Operating temperature: -25...85°C
Access time: 6.5ns
Memory organisation: 16Mx32bit
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating voltage: 1.7...1.95V
Mounting: SMD
Case: FBGA90
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.