Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory


512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90, Kind of package: in-tray, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Clock frequency: 200MHz, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 16Mx32bit, Case: FBGA90, Operating voltage: 1.8V, Kind of memory: SDRAM, Mounting: SMD, Access time: 15ns.

Інші пропозиції AS4C16M32MD1-5BIN

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AS4C16M32MD1-5BIN AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1.pdf
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.