на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 428.45 грн |
10+ | 385.87 грн |
25+ | 326.29 грн |
100+ | 318.37 грн |
190+ | 270.15 грн |
570+ | 257.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4C4M32S-6BIN Alliance Memory
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 128Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 2ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 4M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції AS4C4M32S-6BIN за ціною від 285.31 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AS4C4M32S-6BIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 2ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 4M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 12129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
AS4C4M32S-6BIN | Виробник : Alliance Memory | Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM; Uживл, В = 3,0...3.6; Об'єм RAM = 128 Кбайт; Орг. пам. = 4М х 32; Тдост/Частота = 166 МГц; Тексп, °C = -40...+85; Тип інтерф. = Паралельний; TFBGA-90 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
AS4C4M32S-6BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6.5ns; TFBGA90; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 4Mx32bit Clock frequency: 166MHz Access time: 6.5ns Case: TFBGA90 Memory capacity: 128Mb Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 3...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
AS4C4M32S-6BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6.5ns; TFBGA90; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 4Mx32bit Clock frequency: 166MHz Access time: 6.5ns Case: TFBGA90 Memory capacity: 128Mb Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 3...3.6V |
товар відсутній |