AS4C512M16MD4V-053BIN ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M16MD4V-053BIN - DRAM, Mobile LPDDR4X, 8 GB, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8GB
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1284.78 грн |
| 10+ | 1124.58 грн |
| 25+ | 931.38 грн |
| 50+ | 775.90 грн |
| 100+ | 661.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4C512M16MD4V-053BIN ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M16MD4V-053BIN - DRAM, Mobile LPDDR4X, 8 GB, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4X, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 8GB, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AS4C512M16MD4V-053BIN за ціною від 982.61 грн до 982.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
AS4C512M16MD4V-053BIN |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
4C512M16MD4V053BIN DRAM memories - integrated circuits |
товару немає в наявності |
||||||
 |
AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC DRAM 8GBIT LVSTLE 200FBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 1.866 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-FBGA (10x15) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTLE_06 Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 |
товару немає в наявності |
|||||
| AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : Alliance Memory |
DRAM LPDDR4X, 8Gb, 512M x 16, 0.6V, 200-ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray |
товару немає в наявності |