AS4C64M8D1-5TIN Alliance Memory
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.88 грн |
| 10+ | 352.59 грн |
| 108+ | 267.13 грн |
| 2592+ | 265.72 грн |
| 5076+ | 264.31 грн |
| 10044+ | 262.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4C64M8D1-5TIN Alliance Memory
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V, Technology: SDRAM - DDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 66-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 700 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції AS4C64M8D1-5TIN за ціною від 376.53 грн до 485.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AS4C64M8D1-5TIN | Alliance Memory, Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AS4C64M8D1-5TIN |
|
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 485.27 грн |
| 10+ | 435.23 грн |
| 25+ | 422.16 грн |
| 50+ | 386.85 грн |
| 108+ | 376.53 грн |