
AS4PKHM3_A/H Vishay Semiconductors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4PKHM3_A/H Vishay Semiconductors
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AS4PKHM3_A/H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AS4PKHM3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |