Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS6C1016-55BINTR

AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY

Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 1Mb SRAM, Memory organisation: 64kx16bit, Operating voltage: 2.7...5.5V, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції AS6C1016-55BINTR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AS6C1016-55BINTR	Виробник : Alliance Memory, Inc.	Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AS6C1016-55BINTR	Виробник : Alliance Memory	SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 16	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AS6C1016-55BINTR	Виробник : ALLIANCE MEMORY	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Operating voltage: 2.7...5.5V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.