AS6C2008-55BINTR Alliance Memory, Inc.
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C2008-55BINTR Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 8, Access Time: 55 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8), Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 2Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 36-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції AS6C2008-55BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C2008-55BINTR | Alliance Memory |
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AS6C2008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel Kind of memory: asynchronous; SRAM Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA36 Operating temperature: -40...85°C Access time: 55ns Operating voltage: 3.3V Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AS6C2008-55BINTR |
|
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS6C2008-55BINTR |
|
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA36
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 55ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; TFBGA36; parallel
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA36
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 55ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.