Продукція > ALLIANCE MEMORY, INC. > AS6C2016-55BINTR
AS6C2016-55BINTR

AS6C2016-55BINTR Alliance Memory, Inc.

AS6C2016.pdf
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 128K X 16 WIDE 48-TFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS6C2016-55BINTR Alliance Memory, Inc.

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 128kx16bit, Operating voltage: 2.7...5.5V, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating temperature: -40...85°C.

Інші пропозиції AS6C2016-55BINTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AS6C2016-55BINTR AS6C2016-55BINTR Alliance Memory AllianceMemory_2M_LPSRAM_AS6C201620May202021_v1.1_May2021.pdf SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS6C2016-55BINTR ALLIANCE MEMORY AS6C2016.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS6C2016-55BINTR AllianceMemory_2M_LPSRAM_AS6C201620May202021_v1.1_May2021.pdf
AS6C2016-55BINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS6C2016-55BINTR AS6C2016.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.