AS6C4008-55TIN ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...5V
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: LPC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 437.96 грн |
| 25+ | 379.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C4008-55TIN ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit.
Інші пропозиції AS6C4008-55TIN за ціною від 459.64 грн до 643.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C4008-55TIN | Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Packaging: Tray Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP I Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AS6C4008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
AS6C4008-55TIN | Alliance Memory |
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AS6C4008-55TIN |
|
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 643.64 грн |
| 10+ | 576.35 грн |
| 25+ | 558.74 грн |
| 50+ | 511.89 грн |
| 156+ | 491.58 грн |
| 312+ | 479.35 грн |
| 624+ | 459.64 грн |
| AS6C4008-55TIN |
|
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C4008-55TIN - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS6C4008-55TIN |
|
Виробник: Alliance Memory
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)