AS6C8016-55BIN Alliance Memory
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 592.96 грн |
| 10+ | 538.47 грн |
| 25+ | 410.67 грн |
| 100+ | 398.03 грн |
| 250+ | 397.33 грн |
| 480+ | 377.68 грн |
| 960+ | 365.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C8016-55BIN Alliance Memory
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції AS6C8016-55BIN за ціною від 682.94 грн до 934.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AS6C8016-55BIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
 Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AS6C8016-55BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48 Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA48 Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Access time: 55ns Operating voltage: 2.7...5V Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Kind of memory: asynchronous; SRAM |
товару немає в наявності |