
AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc.

Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 538.11 грн |
10+ | 481.91 грн |
25+ | 467.29 грн |
50+ | 428.10 грн |
135+ | 413.28 грн |
270+ | 403.04 грн |
540+ | 386.49 грн |
1080+ | 376.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc.
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, Asynchron, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AS6C8016-55ZIN за ціною від 367.51 грн до 686.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AS6C8016-55ZIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
![]() ![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II Mounting: SMD Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 400mils Kind of interface: parallel Memory: 8Mb SRAM Operating temperature: -40...85°C Case: TSOP44 II Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AS6C8016-55ZIN | Виробник : Alliance Memory |
![]() |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AS6C8016-55ZIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AS6C8016-55ZIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
![]() ![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II Mounting: SMD Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 400mils Kind of interface: parallel Memory: 8Mb SRAM Operating temperature: -40...85°C Case: TSOP44 II Operating voltage: 2.7...5V Type of integrated circuit: SRAM memory кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
AS6C8016-55ZIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AS6C8016-55ZIN | Виробник : ALLIANCE |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
AS6C8016-55ZIN Код товару: 32914
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|