Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS6CE4016B-45BINTR

AS6CE4016B-45BINTR ALLIANCE MEMORY


AllianceMemory_4Mb_AS6CE4016B-45ZIN.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TFBGA48
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 45s
Integrated circuit features: LPC
Kind of package: reel; tape
Memory: 4Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TFBGA48
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS6CE4016B-45BINTR ALLIANCE MEMORY

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TFBGA48, Operating voltage: 2.7...3.6V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 256kx16bit, Access time: 45s, Integrated circuit features: LPC, Kind of package: reel; tape, Memory: 4Mb SRAM, Mounting: SMD, Case: TFBGA48, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції AS6CE4016B-45BINTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AS6CE4016B-45BINTR Виробник : Alliance Memory AllianceMemory_4Mb_AS6CE4016B_45ZIN_45BIN_LPSRAM_W-3477708.pdf SRAM LP SRAM, 4Mb (x16) 2.7V-3.6V , 45ns, 48ball TFBGA, Industrial Grade with ECC, revB, T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS6CE4016B-45BINTR Виробник : ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_4Mb_AS6CE4016B-45ZIN.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TFBGA48
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 45s
Integrated circuit features: LPC
Kind of package: reel; tape
Memory: 4Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TFBGA48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.