Технічний опис AS7C325632-10BINTR Alliance Memory, Inc.
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90; -40÷85°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 10ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 8Mb SRAM, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Integrated circuit features: fast.
Інші пропозиції AS7C325632-10BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS7C325632-10BINTR | Виробник : Alliance Memory |
 SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 256K X 32 Asyn SRAM |
товару немає в наявності |
|
| AS7C325632-10BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Operating voltage: 3.3V Memory: 8Mb SRAM Kind of memory: asynchronous; SRAM Integrated circuit features: fast |
товару немає в наявності |