AS7C325632-10BINTR ALLIANCE MEMORY
Виробник: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Integrated circuit features: fast
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS7C325632-10BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Access time: 10ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Integrated circuit features: fast, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції AS7C325632-10BINTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AS7C325632-10BINTR | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA |
товар відсутній |
|
 |
AS7C325632-10BINTR | Виробник : Alliance Memory |
SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 256K X 32 Asyn SRAM |
товар відсутній |
|
| AS7C325632-10BINTR | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 8Mb SRAM Access time: 10ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Integrated circuit features: fast Operating voltage: 3.3V |
товар відсутній |