ASFC4G31MA-51BIN Alliance Memory, Inc.


AllianceMemory_4GB_ASFC4G31MA-51BIN_eMMC_datasheet_Feb2025_V1.0.pdf
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: 4GB, EMMC 5.1, 3V, INDUSTRIAL GR
Packaging: Tray
Package / Case: 153-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (MLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 153-FBGA (11.5x13)
Memory Interface: eMMC_5.1
Memory Organization: 4G x 8
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3893.92 грн
10+3463.90 грн
25+3351.67 грн
50+3066.77 грн
171+2930.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ASFC4G31MA-51BIN Alliance Memory, Inc.

Description: ALLIANCE MEMORY - ASFC4G31MA-51BIN - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 4 GB, 4G x 8 Bit, eMMC, FBGA, 153 Pin(s), tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: eMMC-NAND, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4GB, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Anzahl der Pins: 153Pin(s), Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: eMMC, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 4G x 8 Bit.

Інші пропозиції ASFC4G31MA-51BIN

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ASFC4G31MA-51BIN ASFC4G31MA-51BIN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_4GB_ASFC4G31MA-51BIN_eMMC_datasheet_Feb2025_V1.0.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - ASFC4G31MA-51BIN - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 4 GB, 4G x 8 Bit, eMMC, FBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4GB
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: eMMC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 8 Bit
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ASFC4G31MA-51BIN ASFC4G31MA-51BIN Alliance Memory AllianceMemory_4GB_ASFC4G31MA-51BIN_eMMC_datasheet_Feb2025_V1.0.pdf eMMC 4GB, eMMC 5.1, 3V, Industrial Grade, 153ball FBGA Package (11.5x13mm) - A Die
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ASFC4G31MA-51BIN AllianceMemory_4GB_ASFC4G31MA-51BIN_eMMC_datasheet_Feb2025_V1.0.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - ASFC4G31MA-51BIN - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 4 GB, 4G x 8 Bit, eMMC, FBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4GB
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: eMMC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 8 Bit
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ASFC4G31MA-51BIN AllianceMemory_4GB_ASFC4G31MA-51BIN_eMMC_datasheet_Feb2025_V1.0.pdf
Виробник: Alliance Memory
eMMC 4GB, eMMC 5.1, 3V, Industrial Grade, 153ball FBGA Package (11.5x13mm) - A Die
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.